三星計劃2 奈米製程加入背後供電技術，以領先台積電 - 科技新報

南韓媒體The Elec 報導，三星計劃使用背面供電網路(BSPDN) 技術用於2 奈米晶片。

研究員Park Byung-jae 在日前舉行的三星技術論壇SEDEX 2022 介紹BSPDN ... 與台積電競爭之路，三星大絕盡出。

除了3奈米導入全新GAAFET全環繞柵極電晶體架構，已成功量產，照三星半導體藍圖分析，2025年大規模量產2奈米，更先進1.4奈米預定2027年量產。

南韓媒體TheElec報導，三星計劃使用背面供電網路(BSPDN)技術用於2奈米晶片。

研究員ParkByung-jae在日前舉行的三星技術論壇SEDEX2022介紹BSPDN細節。

從過去高K金屬柵極技術到FinFET，接著邁向MBCFET，再到BSPDN，FinFET仍是半導體製程最主流技術，之前稱為3D電晶體，是10奈米等級製程關鍵，三星已轉向發展下一代GAAFET。

三星未來藉小晶片設計架構，不再單個晶片應用同節點製程技術，可連結不同代工廠、不同節點製程各種晶片模組，也稱為3D-SOC。

BSPDN可解釋成小晶片設計演變，原本將邏輯電路和記憶體模組整合的現有方案，改成正面具備邏輯運算功能，背面供電或訊號傳遞。

BSPDN並不是首次出現，概念於2019年IMEC研討會就出現過，到2021年IEDM論文又再次引用。

2奈米製程應用BSPDN後，經後端整合設計和邏輯最佳化，可解決FSPDN的前端佈線壅塞問題，性能提高44%，功率效率提高30%。

(首圖來源：三星) 科技新知，時時更新 科技新報粉絲團 訂閱免費電子報 關鍵字:BSPDN,FinFET,GAAFET,MBCFET,三星,台積電,背後供電 Postnavigation ←施振榮：PC、半導體是台灣與美國矽谷長期合作結果，全球分工仍重要 日本渡邊太太瘋交易，9月日圓、美元交易額首破千兆→ 我們偵測 到您有啟用 ADBlock 請您暫停使用ADBlock，以支持我們持續能提供更多新聞資訊與優質的閱讀環境。

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