用于高级CMOS 技术的环形振荡器电路的可靠性表征,IEEE ...

环形振荡器(RO) 最适合研究在高达GHz 频率下工作的数字CMOS 电路的可靠性，因为已经观察到RO 退化和产品Fmax 退化之间存在良好的相关性。

搜索 当前位置： X-MOL学术 › IEEETrans.DeviceMatReliab. › 论文详情 用于高级CMOS技术的环形振荡器电路的可靠性表征 IEEETransactionsonDeviceandMaterialsReliability ( IF 1.886 ) PubDate : 2020-06-01 ,DOI: 10.1109/tdmr.2020.2981010 AndreasKerber , TanyaNigam , PeterPaliwoda , FernandoGuarin 环形振荡器(RO)最适合研究在高达GHz频率下工作的数字CMOS电路的可靠性，因为已经观察到RO退化和产品Fmax退化之间存在良好的相关性。

此外，可以使用用于分立器件可靠性表征的类似设备执行RO退化测试。

在这项工作中，我们讨论了BTI/HCI对RO退化的贡献，并比较了NFET和PFET器件的贡献。

为了解耦BTI/HCI的影响，在不同的测试条件下对分立器件进行AC表征并与RO退化相关联。

此外，专门设计的可靠性RO用于量化RO应力下的器件类型贡献。

"点击查看英文标题和摘要" ReliabilityCharacterizationofRingOscillatorCircuitsforAdvancedCMOSTechnologies Ring-Oscillator(RO)aremostsuitabletoinvestigatethereliabilityofdigitalCMOScircuitsoperatinguptoGHzfrequenciesasagoodcorrelationhasbeenobservedbetweenROdegradationandProductFmaxdegradation.Inaddition,theROdegradationtestingcanbeperformedwithsimilarequipmentusedfordiscretedevicereliabilitycharacterization.Inthiswork,wediscusstheroleofBTI/HCIcontributioninROdegradationandcomparethecontributionsofNFETandPFETdevices.TodecoupleBTI/HCIcontribution,ACcharacterizationondiscretedevicesisconductedandcorrelatedtotheROdegradationunderdiversetestingconditions.Additionally,speciallydesignedreliabilityROareusedtoquantifydevicetypecontributionunderROstress. 更新日期：2020-06-01   点击分享   查看原文 点击收藏 取消收藏 新增笔记 阅读更多本刊最新论文 本刊介绍/投稿指南 全部期刊列表>> 学术期刊 行业资讯 全球导师 X-MOL问答 求职广场 网址导航 关于我们 帮助中心 客服邮箱：[email protected] 官方微信：X-molTeam2 邮编：100098 地址：北京市海淀区知春路56号中航科技大厦          Copyright©2014-2022北京衮雪科技有限公司AllRightsReserved     京ICP备11026495-2号      京公网安备11010802027423号 down wechat bug bug