[請益] 關於VCO的兩篇論文- 精華區comm_and_RF

文章推薦指數: 80 %
投票人數:10人

有關於phase noise的定義與物理意義?(才疏學淺,爬文還看不懂) 2. ... 而Kvco過大代表VCO很sensitive to noise,代表phase noise變差. Kvco過小會造成你 ... 批踢踢實業坊 › 精華區betacomm_and_RF 關於我們 聯絡資訊 返回上層 作者winjun(帥到臉好痛)看板comm_and_RF標題[請益]關於VCO的兩篇論文時間WedJan3017:14:332008 各位好: 我是VCO的新手,已讀過Razavi裡面14章振盪器與VCO相關章節, 不過還有許多疑問,上來請各位大大指教。

1.有關於phasenoise的定義與物理意義?(才疏學淺,爬文還看不懂) 2.通常是什麼造成K_VCO的值不為常數,還有過大或過小的影響為何? 3.一般我們常看到逆偏的變容二極體(varactor)來控制電容,  是否是因為當V_cont改變,因為電容值的改變,造成  f_osc的改變?〔希望能確定我的想法〕 4.我看paper有提到SiGeHBT(異質接面雙極電晶體)的特色在於: low1/fnoiseandhighgainatmicrowavefrequencies. 請問它的機制或是特色所帶來的好處? 5.http://www.badongo.com/file/7556495 這篇提到highlinear的作法,利用四對diode和pMOS開關來做,  當V_ctrl升高時,四對diode會依序打開,致使linearly。

 請問它的操作原理? 6.http://www.badongo.com/file/7556718 看的懂這篇論文的數學公式,但是卻不不懂他結構上的好處,  簡單來說看的懂數學看不懂背後的電機與物理意義。

 煩高手大略翻譯一下。

感謝VCO的高手看完我的問題, 如果能讓自己更上一層樓,用力批沒關係。

Orz -- ※發信站:批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆From:211.78.173.12 推cpt:關於1,我記得ThomasLee有篇很經典的paper67.186.57.22602/0115:43 →cpt:可以上IEEE找找看67.186.57.22602/0115:44 →cpt:2:可能原因很多看VCO怎麼設計影響stability67.186.57.22602/0115:46 →cpt:3:沒錯就那樣4:材料特性好處是低phasenoise67.186.57.22602/0115:47 →winjun:感謝樓上^^211.78.173.1202/0412:02 >--------------------------------------------------------------------------< 作者:TEMmode(ㄎㄎㄎ)看板:comm_and_RF 標題:Re:[請益]關於VCO的兩篇論文 時間:TueFeb509:13:442008 ※引述《winjun(帥到臉好痛)》之銘言: :各位好: :我是VCO的新手,已讀過Razavi裡面14章振盪器與VCO相關章節, :不過還有許多疑問,上來請各位大大指教。

:1.有關於phasenoise的定義與物理意義?(才疏學淺,爬文還看不懂) 理想的弦波輸出在頻譜上面只有一根tone,但是實際上因為noise的關係會造成 有"裙子"樣子的頻譜.不論VCO本身或者外部的noise都有可能對VCO會造成AM和 PM,由於VCO本身有nonlinearlimiter的效果,所以往往忽略AM,於是就是我們所 關心的phasenoise.(除非談到AM-PMcomversion) VCO是個nonlinear,time-variantsystem,所以分析起來真的很複雜~~Razavi, Hajimiri,ThomosLee在JSSC有幾篇經典的論文可以去看看~~ :2.通常是什麼造成K_VCO的值不為常數,還有過大或過小的影響為何? 如果你用vacactor來控制LCtank,他的中心頻率是根號LC分之一,去對C微分會發現 Kvco不是一個定值.或者有些ringVCO利用控制MOS電阻來調整頻率,MOS本身就不是 linear的device,所以Kvco也不會是常數. 當你的Kvco不是linear的時候,你的PLL就會變的不好設計,鎖定在不同的Kvco將會造 成特性不如預期.而Kvco過大代表VCO很sensitivetonoise,代表phasenoise變差. Kvco過小會造成你的tuningrange不夠,可能PVTvariation會使PLL無法鎖定. :3.一般我們常看到逆偏的變容二極體(varactor)來控制電容, : 是否是因為當V_cont改變,因為電容值的改變,造成 : f_osc的改變?〔希望能確定我的想法〕 對~~ :4.我看paper有提到SiGeHBT(異質接面雙極電晶體)的特色在於: :low1/fnoiseandhighgainatmicrowavefrequencies. :請問它的機制或是特色所帶來的好處? low1/fnoise會造成1/f^3noise,因此降低flickernoise有助於phasenoise. highgain代表可以用較少的power達到startup的條件,也表示可以實現高頻的VCO. :5.http://www.badongo.com/file/7556495 :這篇提到highlinear的作法,利用四對diode和pMOS開關來做, : 當V_ctrl升高時,四對diode會依序打開,致使linearly。

: 請問它的操作原理? :6.http://www.badongo.com/file/7556718 :看的懂這篇論文的數學公式,但是卻不不懂他結構上的好處, : 簡單來說看的懂數學看不懂背後的電機與物理意義。

: 煩高手大略翻譯一下。

:感謝VCO的高手看完我的問題, :如果能讓自己更上一層樓,用力批沒關係。

Orz -- ※發信站:批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆From:210.241.124.130 推phylin:推推不過是控制MOS"電容"~59.105.131.11402/0509:15 推yderee:那麼熱血還不念博班123.194.81.6702/0611:16 推Jiahow:博班衝了啊~~~124.218.78.5002/0618:02 →TEMmode:你們唸我就唸~~61.223.215.21502/1010:45 推winjun:感謝TEM大小弟受用無窮211.78.173.1202/1218:37



請為這篇文章評分?